Analyse simultanée par absorption atomique d’éléments multiples
La couche mince modifie les propriétés du substrat sur lesquels elle est déposée. Pour les applications les plus contraintes, où un contrôle à la couche atomique près doit être effectué, les bâtis utilisés sont sous un vide très poussé. Au sein de ces bâtis, un contrôle in-situ non destructif est nécessaire pour maitriser les variations des étapes de dépôt.
Différents systèmes permettant une mesure optique ont été développés. Ils font appel à des éléments complexes, onéreux, et difficiles à mettre en œuvre par des non spécialistes.
AVANTAGES CONCURRENTIELS
- Mise en œuvre robuste
- Mesure simultanée des flux de plusieurs éléments
- Les dérives en intensité des lampes, et les dérives de chemin optique dues aux variations thermiques lentes sont mesurées et prises en compte
APPLICATIONS
Équipements de la microélectronique :
- Epitaxie (MBE, MOCVD…)
- Dépôt couche mince (CVD, Evaporation)
PROPRIÉTÉ INTELLECTUELLE
- Brevet
ÉTAPE DE DÉVELOPPEMENT
Preuve expérimentale de conception
LABORATOIRE
- LAAS
Description
La solution technologique développée permet la mesure simultanée des flux de plusieurs éléments atomique de façon simple et robuste. Pour chaque élément, une lampe à cathode creuse émet plusieurs raies spécifiques à l’élément choisi, et une ou plusieurs de ces raies sont détectées par un spectromètre 1D.
L’instrument se compose :
- D’objets lumineux type lampes à cathode aux longueurs d’onde des matériaux d’intérêt
- D’une fibre optique double cœurs
- D’un spectromètre 1D
- D’un logiciel de traitement d’images temps réel
Spécifications techniques
- Durée de mesure : Quelques millisecondes à plusieurs heures
- Fréquence d’échantillonnage : 10 Hz
- Source lumineuse : Directe, non hachée
- Type de spectromètre : 1D